台积电发布Ａ１４（１.４纳米）制程技术蓝图 第二代ＧＡＡ晶体管驱动２０２８年量产
（２０２５年北美技术研讨会讯） 全球半导体制造龙头台积电（ＴＳＭＣ）在周三举行的２０２５年北美技术研讨会上正式披露其下一代Ａ１４（１．４纳米级）芯片制造技术路线图。该技术将在性能、功耗效率及晶体管密度上实现跨越式升级，较当前Ｎ２（２纳米）工艺显著提升，并计划于２０２８年进入大规模量产阶段，进一步巩固其在先进制程领域的领导地位。
技术突破：第二代ＧＡＡ与ＮａｎｏＦｌｅｘ Ｐｒｏ加持
台积电表示，Ａ１４节点将采用其第二代环绕栅极（ＧＡＡ）纳米片晶体管架构，通过优化三维堆叠结构提升电流控制能力，从而增强芯片运算效率。此外，该技术将结合ＮａｎｏＦｌｅｘ Ｐｒｏ设计灵活性方案，允许客户根据需求在相同芯片上混合使用不同尺寸的晶体管，以平衡性能与功耗，满足人工智能（ＡＩ）、高性能计算（ＨＰＣ）等多元化场景的定制需求。
尽管Ａ１４在晶体管密度和能效比上实现突破，但台积电确认，２０２８年量产的初代Ａ１４将暂不支持背面供电（Ｂａｃｋｓｉｄｅ Ｐｏｗｅｒ Ｄｅｌｉｖｅｒｙ）技术。这一关键功能预计延后至２０２９年推出的升级版Ａ１４中落地，届时可通过背面金属层优化电力传输路径，进一步降低功耗并提升芯片性能。
量产规划与行业影响
根据路线图，Ａ１４的量产时间较此前业内预测的２０２７年有所推迟。对此，台积电解释称，新节点需完成复杂的技术验证与生态适配，但强调其技术迭代节奏仍领先于竞争对手。分析人士指出，尽管三星、英特尔等厂商正加速推进２纳米以下制程，但台积电凭借成熟的ＧＡＡ技术积累和客户合作关系，有望继续主导高端芯片代工市场。
值得关注的是，Ａ１４的量产时间点恰逢全球ＡＩ芯片需求爆发期。台积电高层透露，已有多个客户计划将Ａ１４用于下一代ＡＩ加速器及数据中心处理器研发，其性能提升幅度将直接支撑未来算力密集型应用的创新。
技术挑战与未来展望
尽管Ａ１４被寄予厚望，但背面供电功能的延迟可能引发部分客户对初期版本能效潜力的担忧。台积电回应称，ＮａｎｏＦｌｅｘ Ｐｒｏ技术已能通过设计优化弥补电力传输短板，且２０２９年的升级版将提供“更完整的解决方案”。行业观察者认为，随着摩尔定律逼近物理极限，台积电通过分阶段技术迭代平衡研发风险与市场需求的策略，或成为半导体行业的新常态。
随着Ａ１４细节的公布，台积电进一步明确了其在１纳米级制程的布局野心，也为全球芯片产业迈向“后２纳米时代”注入强心剂。
